Использование источника тока позволяет получить очень большие значения сопротивления переменного сигнала в цепи коллектора VT3 и VT4. Транзистор VT1 работает в режиме диода UБЭ этого транзистора равно напряжению UБЭ для VT2, отсюда следует, что ток базы IБ1 = IБ2. Использование токового зеркала в качестве активной нагрузки ДУ позволяет получить КДИФ до 5000 в одном каскаде. В противном случае это сопротивление будет шунтировать высокое сопротивление источника тока. ДУ, как правило, используют на входе микросхем ОУ. ДУ могут использоваться как компараторы для сравнения напряжения на входах.
