В реальной ДК величины параметров транзисторов и резисторов правой и левой половины не одинаковы из-за технологического разброса при изготовлении интегральных микросхем (ИС).
Введём следующие технологические разбросы
рис 6.6
Из рис 6.6 видно, что входной синфазный сигнал является причиной появления нежелательного дифференциального сигнала.
, если 
.
Такой же эффект можно получить из-за разброса 
, т.е. если 
.
(Влияние относительных разбросов 
и 
достаточно полно изложены в [?] )
Влияние технологического разброса можно проиллюстрировать следующим образом (рис 6.7.)
рис 6.7
где 
- коэффициент передачи (трансформации) синфазного сигнала в дифференциальный.
Теперь можно представить, что выходной (нежелательный) сигнал U’выхд как бы возник под действием некого входного дифференциального сигнала U’вхд (рис 6.8).
Из сравнения рис 7 и рис 8 находим коэффициент подавления синфазных сигналов K’осл ф несбалансированного ДК.
- коэффициент ослабления синфазного сигнала реального ДК.
рис 6.8
Рассматривая эквивалентную схему ДК с учётом влияния разбросов µэк и Ук, покажем, что именно эти параметры вносят основной вклад в величину Кдс.
рис 6.9
Входной синфазный сигнал приводит к модуляции ширины базы. Этот эффект на эквивалентной схеме на рис 6.9 (?) представлен в виде эквивалентного источника тока.
тогда
