ПРЕДИСЛОВИЕ

СОКРАЩЕНИЯ И ОБОЗНАЧЕНИЯ.

СОЭ (схема с ОЭ)–схема с общим эмиттером.

СОБ (схема с ОБ) – схема с общей базой.

СОК (схема с ОК) – схема с общим коллектором.

БТ – базовый ток.

БТ – биполярный транзистор

ОС – обратная связь

ООС –отрицательная обратная связь

ОУ –операционный усилитель

ФЧХ –фазо-частотная характеристика

АЧХ – амплитудно-частотная характеристика

РМС – режим малого сигнала

РБС – режим большого сигнала

ДК – дифференциальный каскад

ИСТ – источник стабильного тока

ОБ – общая база

ИС – интегральная микросхема

U_бэ - напряжение база – эмиттер

U_б - напряжение на базе

U_к - напряжение на коллекторе

U_э -напряжение на эмиттере

Uэрли - напряжение Эрли перехода

I_k - коллекторный ток

Iк⁰ – режимный ток в рабочей точке А.

Is – обратный тепловой ток pn –

r_э -дифференциальным сопротивлением эмиттерного перехода.

R^/_вых -выходное сопротивление

R^/вх-входное сопротивление

r_{к, -} внутреннее сопротивление

k – постоянная (не изменяется во времени или по амплитуде), коэффициент усиления

K’_u -коэффициент усиления по напряжению

K^/_{u макс} -максимально достижимый коэффициент усиления

K^/u_(н) – коэффициент передачи нагруженного усилителя

m – поправочный коэффициент, равный 1 – 2

эк -коэффициент обратной передачи

j_T=kT/q – термический потенциал

к= 1,38·10²³ Дж/K – постоянная Больцмана

T = ⁰C + 273 – температура.

А {Iк⁰; Uк⁰} - рабочая точка

S’ –крутизна

, коеффициент усиления по току при постоянном Uкэ.

Wб - ширина базы транзистора