Ток через Ra и Rб должен быть много больше , чем базовый ток VTогр .
2.) найдем Rб :
(Uвх-минимальное)
3.) Pvt1=Uвхmax*0.2*Iнmax
Пример расчета :
Вариации на данную тему :
Первая схема :
Если напряжение Uкэvt1<Uст , то стабилитрон не пробит , значит цепочка Ra и Rб ни какой роли не играет и стабилитрон работает без огибающей характеристики и только с уровнем токоограничения , который упоминался выше .
Если Uкэvt1>Uст , то стабилитрон открывается и образуется цепочка для протекания тока через Ra и Rб , при этом в базе VTогр прикладывается дополнительное напряжение , равное падению напряжения на Ra , при этом транзистор будет открываться при меньшем напряжении на Rогр или при меньшем токе через него .
Вторая схема :
К142Е1,2-отечественные мкс
mA723-аналог
В номинальном режиме Uбэогр имеет отрицательную полярность , равную разности падений напряжений на Rогр и Ra . Когда падение напряжения на Rогр превысит напряжение Rа на 0.4 В , т.е. транзистор включится , то по мере увеличения тока в нагрузке , следует уменьшение URa. Значит для включенного состояния необходимо уменьшение напряжения на Rогр или меньший ток через VT1 .
(здесь характеристика опять имеет загибающийся характер)
В номинальном режиме базоэмиттерное напряжение ограничительного транзистора имеет отрицательную полярность. Оно равно разности падений напряжений на Rогр и Rа. Когда падение напряжения на ограничительном резисторе превысит напряжение на Rа на 0,4 В, транзистор включится, то по мере увеличения тока нагрузки напряжение на Rа уменьшается.
Т.о. для включённого состояния необходимо меньшее напряжение на Rогр и меньший ток через VT1. Т.е. характеристика опять загибается.