Вотличие от гибридных интегральных микросхем, состоящих из двух различных типов элементов (пленочных и навесных), полупроводниковые, интегральные микросхемы состоят из единого кристалла полупроводника, отдельные (локальные) области которого выполняют функции активных и пассивных элементов, между которыми существуют необходимые электрические соединения и изолирующие прослойки.
Полупроводниковые ИМС имеют наиболее высокую степень интеграции элементов (свыше 104 элементов/см3) и позволяют получить максимальную надежность, так как количество соединений в них сведено к минимуму.
В основу создания полупроводниковой ИМС положены групповой метод и планарная технология. Сущность группового метода, освоенного еще в дискретной полупроводниковой технике, состоит в том, что на пластине полупроводника одновременно изготавливается множество однотипных полупроводниковых приборов. Затем пластина разрезается на сотни отдельных кристаллов, содержащих по одному прибору данного типа. Полученные приборы помещаются в корпусы с внешними выводами и в таком виде поступают к разработчику аппаратуры. В дискретной полупроводниковой технике разработчик, составляя тот или иной функциональный узел (усилитель, генератор и т. п.), вынужден соединять полученные приборы один с другим и с иными элементами с помощью пайки, что, естественно, снижает надежность всего устройства. В интегральной технике на исходной полупроводниковой пластине одновременно изготавливаются не отдельные приборы, а целые функционально законченные узлы, состоящие из транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов и т. д. Эти элементы соединяют один с другим не проводниками и пайкой, а короткими тонкими металлическими полосками, напыляемыми на поверхность пластины. Для этого коммутационные электроды всех элементов выводят на поверхность пластины и размещаются в одной плоскости в одном плане. Такую возможность обеспечивает специальная планарная технология изготовления полупроводниковых ИМС.
Полупроводниковые интегральные схемы в основном изготавливаются из кремния. Выбор этот обусловлен тем, что по сравнению с германием он имеет большую запрещенную зону, меньшие обратные токи и более высокую рабочую температуру (до +125 °С). Кроме того, путем окисления поверхности кремния легко получить пленку двуокиси кремния, обладающую хорошими защитными свойствами.
Основными процессами создания компонентов полупроводниковых интегральных схем являются технологические процессы создания р-п переходов, с помощью которых формируются как активные, так и пассивные компоненты интегральных схем — транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и т. д. Такими процессами являются диффузия примесей в кремний и эпитаксиальное наращивание монокристаллических слоев кремния на кремниевую подложку, имеющую противоположный тип проводимости. В соответствии с этим по технологии изготовления современные интегральные схемы можно разделить на изготавливаемые с применением только процессов диффузии, и схемы, при создании которых используются как процессы диффузии, так и процессы эпитаксиального наращивания.
Технология изготовления интегральных схем первого типа получила название планарной, а второго типа — эпшпаксиально-планарной.
Особый тип полупроводниковых интегральных микросхем составляют микросхемы, выполненные по так называемой совмещенной технологии. В этом случае активные элементы изготовляют по планарной или эпитаксиально-планарной технологии в объеме проводникового кристалла, а пассивные элементы — методами пленочной технологии на его поверхности.
В твердом теле полупроводника пассивные и активные элементы необходимо изолировать друг от друга во избежание коротких замыканий. По способу изоляции компонентов полупроводниковые ИМС можно разделить на две группы.
1. В схемах первой группы, изготавливаемых по планарной технологии, изоляция осуществляется образованием между элементами (группой элементов) дополнительных р-п переходов. При их формировании создаются изолирующие перегородки шириной 20— 30 мкм, которые разделяют пластинку кремния на отдельные микроучастки — «островки».
Рис.3. Процесс формирования изолирующих р-п переходов:
а – пластина кремния с окисной пленкой; б – пластина кремния после диффузии примеси и образования «островков».
В схемах второй группы, изготавливаемых по методу планарно-эпитаксиальной технологии, «островки» изолируются пленками двуокиси кремния. На рис. 4 в упрощенном виде показана технология получения «островков». Пластина монокристаллического кремния n-типа окисляется и на ней образуется пленка диоксида кремния (рис. 4, а). Затем в соответствии со схемой в пленке SiO2 вытравливаются канавки (рис. 4, б). Поверхность повторно окисляется (рис.4, в), образуя фигурный слой SiO2. На этот слой наращивается с помощью эпитаксии слой поликристаллического кремния собственной проводимости 3 (рис.4, г). После сошлифовки монокристаллического кремния образуются «островки» 4 (рис.4, д) в которых методом диффузии или эпитаксиальным наращиванием формируют необходимые элементы схем.
Этот способ изоляции «островков» существенно уменьшает емкости между островками, токи утечки и увеличивает пробивное напряжение. Однако технология изготовления сложнее и стоимость изготовления схем соответственно более высокая.
Рис.4. Образование «островков» посредством использования изолирующей прослойки.
