Биполярные транзисторы – это полупроводниковые приборы, выполненные на кристаллах со структурой p-n-p-типа (а) или n-p-n-типа (б) с тремя выводами, связанными с тремя слоями (областями): коллектор (К), база (Б) и эмиттер (Э) (рис.1, а и б). Ток в таком транзисторе определяется движением зарядов двух типов: электронов и дырок. Отсюда его название – биполярный транзистор.
Рис.1. Биполярныхй транзистор p-n-p-типа. Рис.2. Биполярный транзистор p-n-p-типа.
Физические процессы в транзисторах p-n-p-типа и n-p-n-типа одинаковы. Отличие их в том, что токи в базах транзисторов p-n-p-типа переносятся основными носителями зарядов – дырками, а в транзисторах n-p-n-типа – электронами. Каждый из переходов транзистора – эмиттерный (Б-Э) и коллекторный (Б-К) можно включить либо в прямом, либо в обратном направлении. В зависимости от этого различают три режима работы транзистора:
- режим отсечки – оба p-n-перехода закрыты, при этом через транзистор протекает сравнительно небольшой ток 
, обусловленный неосновными носителями зарядов;
- режим насыщения – оба p-n-перехода открыты;
- активный (усилительный)режим – один из p-n-переходов открыт, а другой закрыт.
В режимах отсечки и насыщения управление транзистором практически отсутствует. В активном режиме транзистор выполняет функцию активного элемента электрических схем усиления сигналов, генерирования колебаний, переключения и т. п.
