Частотные свойства транзистора

С увеличением частоты усилительные свойства транзистора ухудшаются. Это происходит по двум причинам:

1. Инерционность диффузионного процесса обуславливающего движение дырок через базу коллектора, это определяется зависимостью коэфицента передачи по току транзистора h21 c учетом схемы включения транзистора. Частотные свойства транзистора в схеме с ОЭ хуже, и предельная частота в схеме с ОЭ примерно в h21 раз ниже, чем в схеме с ОБ.
2. Ухудшение усилительных свойств транзистора с увеличением частоты, является емкость коллекторного перехода.

Ск ≈ Сзаряда

Лекция 11

Полевые транзисторы

Полевой транзистор – полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей зарядов протекающих через проводящий канал, и управляется электрическим полем.

Особенности полевого транзистора:

1. Высокий коэфицент по напряжению
2. Высокое входное сопротивление, а так же действие его обусловлено носителями заряда одной полярности.

Две разновидности полевых транзисторов:

1. Затвором в виде P – N перехода, с изолированным затвором
2. Полевой транзистор со структурой; метал - диэлектрик – полупроводник (МДП)

В зависимости от характера проводимости канала, полевые транзисторы подразделяются на транзисторы Р – типа и N – типа.

Условное графическое обозначение:

Транзистор с изолированным затвором, с каналом Р – типа (N - типа) объединенного типа.

С каналом Р – типа, обогащенного. N – типа, обогащенного.

Рассмотрим принцип работы полевого транзистора плоскостной конструкции с каналом N – типа, и схемой включения с общим истоком.

Схема включения полевого транзистора:

Лекция 12