Катод-мишень, анод и подложки размещены в рабочей камере, в которой первоначально создается вакуум 10-3 – 10-4 Па. Затем в камеру напускается инертный газ ( аргон ) до давления 1 - 102 Па. При подаче на электроды напряжения 1 - 5 кВ электроны с катода - мишени устремляются в сторону анода, ионизируя инертный газ, в результате чего возникает тлеющий разряд и образуется плазма. Положительные ионы плазмы, ускоряясь, устремляются к катоду-мишени, бомбардируют и распыляют ее. Атомы напыляемого материала устремляются к подложкам, расположенным на аноде, и оседают на них тонкой пленкой.
При изготовлении металлизации контролируют качество напыленной пленки металла, прочность покрытия, толщину пленки, удельное поверхностное сопротивление.
Тема: Общие сведения о технологии сборочных работ.
Разделение пластин на кристаллы.
Основными технологическими операциями сборки полупроводниковых ИМС являются: разделение пластин на кристаллы, монтаж кристаллов, подсоединение электродных выводов, герметизация.
После автоматического контроля электрических параметров готовых структур ИМС пластины разделяют на кристаллы. Для этого пластины помещают на липкие эластичные ленты и разделяют не на всю толщину, а резкой или скрайбированием наносят механически ослабляющие материал риски (царапины). На этой же ленте выполняют разламывание пластин на кристаллы, гидромеханическую очистку от загрязнений деионизованной водой, сушку, визуальный контроль. В процессе визуального контроля отсортировывают отмеченные маркерной краской забракованные по электрическим параметрам кристаллы, а также кристаллы с механическими повреждениями, отслаиваниями пленок, остатками фоторезиста и др.
При равномерном растяжении эластичной ленты кристаллы раздвигаются, что делает удобным их захват инструментом для перемещения на следующую операцию - монтаж кристаллов, т.е. подсоединение к основанию корпуса.
Для разделения пластин применяют:
Резку дисками с внешней режущей кромкой;
Резку стальными полотнами;
Резку проволокой;
Скрайбирование алмазным резцом;
Лазерное разделение.
В промышленном производстве применяется в основном резка дисками с внешней режущей кромкой. Она высокопроизводительна, позволяет разделять толстые, а следовательно большого диаметра, пластины, а также диэлектрические подложки, обеспечивает воспроизводимые размеры и форму кристаллов со строго вертикальными боковыми гранями, а также большой выход годных структур, достигающий 98-100 %
Схема резки диском с внешней алмазосодержащей режущей кромкой.