Образование паразитных МОП транзисторов под металлической разводкой.

Термическое осаждение алюминия для омических контактов и затворов через трафареты;

Фотолитография для получения рисунка окон и подомических контактов и травление;

Окисление пластины и получение подзатворного диэлектрика толщиной 0,1 мкм;

Повторная диффузия донорной примеси для получения сильно легированных областей n типа;

Фотолитографическое получение защитной маски;

Изоляция карманов p типа;

Термическое окисление;

Проведение разделений диффузии при донорной примеси на глубину эпитаксиальной пленки;

Нанесение фоторезиста и получение определенного рисунка;

На n типа подложке осаждается эпитаксиальная пленка p типа толщиной 10мкм;

Повышение помехоустойчивости ИС.

Необходимость уменьшения восприимчивости ИС памяти к случайным сбоям;

Необходимость уменьшения рабочих температур БИС, построенных на МОП транзисторах;

Необходимость в ограничении рассеиваемой мощности;

Особенности МОП технологии:

В техническом процессе отсутствуют операции по изоляции технических структур. Весь процесс изготовления интегральных схем сводится к формированию МОП транзисторов и создания элементов между ними т. к. на МОП структурах можно реализовать резисторы и конденсаторы. Внутри схемы соединения выполняют с помощью материала затвора тем самым упрощая задачу многослойной разводки.

Размеры МОП транзисторов гораздо меньше биполярных транзисторов, что позволяет создать микросхему с высокой степенью компоновки.

Схема технического процесса изготовления интегральных схем МОП:

2) выполняется термическое окисление с образованием пленки SiO₂ толщиной 1 мкм;

Проблемы, возникающие при изготовлении МОП ИС:

1) Наличие SiO₂ под затвором положительных и отрицательных зарядов.

3) Возникновение перекрытия затвора с областями стока и истока (перекрытие приводит к увеличению ёмкостей затвор-исток и сток-исток, что ведет к снижению быстродействия).

Способы увеличения быстродействия МОП ИС:

1) Увеличение быстродействия за счет уменьшения ёмкостей перекрытия. Найдено решение – применение технологии самосовмещенных затворов. Идея технологии заключается в том, что слои стока и истока выполняются не до, а после выполнения затвора. При этом затвор используется в качестве маски.