Зависимость параметров транзистора от температуры

Смещение рабочей точки током базы покоя

Фиксированное смещение базовым делителем от коллекторного питания.

Потенциал базы жестко фиксируется делителем R₁, R₂ (рисунок 3.2). Ток течет от E_к через базовый делитель. Падение напряжения на R₂ создает смещение на базу . Чтобы ток делителя не зависел от тока базы покоя должно выполняться условие . Для выполнения этого условия надо уменьшать R₁, R₂, но при этом растет потребление энергии от E_к, падает кпд и падает входное сопротивление усилителя, а оно итак мало.

Поэтому выбирается; при этом .

Резисторы R₁, R₂ по постоянному току соединены последовательно , по переменной составляющей – параллельно >>R_вх.

Достоинством схемы является ее некритичность к смене транзистора, недостатком – при изменении температуры меняется режим работы.

В схеме (рисунок 3.3) смещение создается током базы покоя, протекающим от E_к через R_б, БЭ, ; – E_к.; .

Отсюда можно определить R_б, которое необходимо поставить в схему для обеспечения нужного смещения

.

Недостатком схемы является изменение смещения при смене транзистора и изменении температуры окружающей среды.

3.2 Стабилизация режима в усилительном каскаде

При увеличении температуры происходит:

а) увеличение теплового тока коллектора I_к0 , a=0.08 (1/°С) – температурный коэффициент, Δt ‑ приращение температуры;

б) смещение входных характеристик влево (рисунок 3.4). Температурный коэффициент напряжения ТКН= –2,5 В/°С, а смещение ΔU_бэ=gΔt g=(2,2…2,5)10 ^‑3.

в) увеличение коэффициента передачи β. В результате смещается рабочая точка и изменяется режим усиления.

Для уменьшения влияния температуры, т.е. для стабилизации режима работы вводится цепь термостабилизации параметров или термокомпенсации.