русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Память программ


Дата добавления: 2013-12-23; просмотров: 1460; Нарушение авторских прав


Основным свойством памяти программ является ее энергонезависи­мость, то есть возможность хранения программы при отсутствии питания. С точки зрения пользователей МК следует различать следующие типы энергонезависимой памяти программ:

• ПЗУ масочного типа — mask-RОМ. Содержимое ячеек ПЗУ этого
типа заносится при ее изготовлении с помощью масок и не может
быть впоследствии заменено или допрограммировано. Поэтому МК
с таким типом памяти программ следует использовать только после
достаточно длительной опытной эксплуатации. Основным
недостатком данной памяти является необходимость значительных
затрат на создание нового комплекта фотошаблонов и их внедрение
в производство. Обычно такой процесс занимает 2-3 месяца и
является экономически выгодным только при выпуске десятков
тысяч приборов. ПЗУ масочного типа обеспечивают высокую
надежность хранения информации по причине программирования
в заводских условиях с последующим контролем результата.

• ПЗУ, программируемые пользователем, с ультрафиолетовым стира­
нием — ЕРRОМ (Егаsаblе Ргоgгаmmаblе RОМ). ПЗУ данного типа программируются электрическими сигналами и стираются с помо­щью ультрафиолетового облучения. Ячейка памяти ЕРRОМ пред­ставляет собой МОП-транзистор с «плавающим» затвором, заряд на который переносится с управляющего затвора при подаче соответ­ствующих электрических сигналов. Для стирания содержимого ячей­ки она облучается ультрафиолетовым светом, который сообщает за­ряду на плавающем затворе энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера и стекания на подложку. Этот процесс мо­жет занимать от нескольких секунд до нескольких минут. МК с ЕРRОМ допускают многократное программирование и выпускают­ся в керамичесROM корпусе с кварцевым окошком для доступа ульт­рафиолетового света. Такой корпус стоит довольно дорого, что зна­чительно увеличивает стоимость МК. Для уменьшения стоимости МК с ЕРRОМ его заключают в корпус без окошка (версия ЕРRОМ с однократным программированием).



• ПЗУ, однократно программируемые пользователем, — ОТРRОМ (Оnе-Timе Ргоgгаmmаblе RОМ). Представляют собой версию ЕРRОМ, выполненную в корпусе без окошка для уменьшения стоимости МК на его основе. Сокращение стоимости при использовании таких корпусов настолько значительно, что в последнее время эти версии ЕРRОМ часто используют вместо масочных ПЗУ.

• ПЗУ, программируемые пользователем, с электрическим стиранием — ЕЕРRОМ (Еlесtically Егаsаblе Ргоgгаmmаblе RОМ). ПЗУ данного типа можно считать новым поколением ЕРRОМ, в которых стира­ние ячеек памяти производится также электрическими сигналами за счет использования туннельных механизмов. Применение ЕЕРRОМ позволяет стирать и программировать МК, не снимая его с платы. Таким способом можно производить отладку и модернизацию программного обеспечения. Это дает огромный выигрыш на начальных стадиях разработки микроконтроллерных систем или в процессе их изучения, когда много времени уходит на поиск причин неработоспособности системы и выполнение циклов стирания-программирования памяти программ. По цене ЕЕРRОМ занимают среднее положение между ОТРROM и ЕРROM. Техноло­гия программирования памяти ЕЕРROM допускает побайтовое сти­рание и программирование ячеек. Несмотря на очевидные преиму­щества ЕЕРROM, только в редких моделях МК такая память используется для хранения программ. Связано это с тем, что, во-пер­вых, ЕЕРROM имеют ограниченный объем памяти. Во-вторых, по­чти одновременно с ЕЕРROM появились Flash-ПЗУ, которые при сходных потребительских характеристиках имеют более низкую сто­имость;

• ПЗУ с электрическим стиранием типа Flash — Flash-ROM. Функци­онально Flash-память мало отличается от ЕЕРROM. Основное раз­личие состоит в способе стирания записанной информации. В па­мяти ЕЕРROM стирание производится отдельно для каждой ячейки, а во Flash-памяти стирать можно только целыми блоками. Если не­обходимо изменить содержимое одной ячейки Flash-памяти, потре­буется перепрограммировать весь блок. Упрощение декодирующих схем по сравнению с ЕЕРROM привело к тому, что МК с Flash-памятью становятся конкурентоспособными по отношению не только к МК с однократно программируемыми ПЗУ, но и с масочными ПЗУ также.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Память программ и данных МК | Регистры МК


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.004 сек.