1. У програмі PSpice Schematics зібрали схему моделювання резистора на ВЧ (рисунок 1.2), використовуючи базову конфігурацію (рисунок 1.8).
Значення паразитних параметрів задавали в наступних діапазонах: RCn = 100...10000 МОм, Lu = 10...1000 нГн, RLn=0,L..10Ом, Сп = 1...100 пФ.
2 На вхід схеми підключили генератор синусоїдальної напруги VSIN (встановити АС=1, інші параметри в довільних діапозонах) і, змінючи паразитні параметри, побудували сімейство частотних характеристик в залежності від паразитних параметрів при одному і тому ж значенні вихідного параметра в одних координатних осях.
Рисунок 1.8
3 Зібрали схему для моделювання конденсатора (рисунок 1.4) і індуктивності (рисунок 1.6) , використовуючи базову конфігурацію (рисунок 1.8).
4 Повторили пункт 2.
5 Зібрали схему для моделювання трансформатора (рисунок 1.9).
6 Значення параметрів задавали в наступних діапазонах: Ls =1..100 мкГн, Rn= 0,1...10 Ом, Lm = 0,1...10 Гн, Rm = 10...1000 Ом
7 На вхід схеми підключили імпульсний генератор VPULSE. Встановили частоту проходження імпульсів 100Гц при шпаруватості 2, амплітуда сигнала ±1В.
8 Зняли часові діаграми роботи схеми при різних значеннях параметрів (рекомендується синхронно змінювати параметри первинної й вторинної обмоток трансформатора) і оцінити їх вплив.
9
Повторили дослід на частоті 100кГц.
Хід роботи:
1. Моделювання резистора
Рисунок 1.10 – Схема моделювання резистора
1) Я змінював паразитну ємність від 80 пФ до 10 пФ при постійній індуктивності Lп=800 нГн. Графічно отримані результати приведено на Рисунку 1.11.
Рисунок 1.11 а)Cп=80 пФ; b)Сп=40 пФ; c)Сп=10 пФ.
Висновок:
