Польових транзисторів

Польовими транзисторами (ПТ) називаються напівпровідникові підсилювальні прилади, в основі роботи яких використовуються рухомі носії зарядів одного типа- або електрони, або дірки. Найбільш характерною межею ПТ є високий вхідний опір, тому вони управляються напругою, а не струмом, як БТ.

Визначаються малосигнальні Y-параметры ПТ по його еквівалентній схемі. Для цілей ескізного проектування можна використовувати спрощений варіант малосигнальної еквівалентної схеми ПТ, представлений на рис.2.8.

Дана схема із задовільною для ескізного проектування точністю апроксимує підсилювальні властивості ПТ незалежно від його типу, параметри її елементів знаходяться з довідкових даних

Вирази для еквівалентних Y-параметров ПТ, включеного по схемі з ОЇ визначають по методиці п.2.3:

Де з, з, і відповідно затвор, стік і витік ПТ; t- час прольоту носіїв .

Граничну частоту одиничного посилення ПТ можна оцінити по формулі:

Аналіз отриманих виразів для еквівалентних Y-параметров ПТ, проведений з урахуванням конкретних чисельних значень довідкових параметрів, дозволяє зробити вивід про незначну залежність крутизни від частоти, що дозволяє в ескізних розрахунках використовувати її низькочастотне значення . За відсутності довідкових даних про величину внутрішньої провідності ПТ у ескізних розрахунках можна приймати зважаючи на її відносної трохи.

Перерахунок еквівалентних параметрів Y- для інших схем включення ПТ здійснюється по тих же правилах, що і для БТ.