Біполярних транзисторів

Біполярними транзисторами (БТ) називають напівпровідникові прилади з двома (або більш) взаємодіючими p-n-переходами і трьома (або більш) виводами, підсилювальні властивості яких обумовлені явищами інжекції і екстракції не основних носіїв заряду.

Для визначення малосигнальних Y-параметров БТ використовують їх еквівалентні схеми. З безлічі різноманітних еквівалентних схем найточніше фізичну структуру БТ відображає малосигнальна фізична Т-подібна схема. Для цілей ескізного проектування, при використанні транзисторів до (0,2...0,3) ( - гранична частота посилення транзистора з ОЕ) можливе використання спрощених еквівалентних моделей транзисторів, параметри елементів еквівалентних схем яких легко визначаються на основі довідкових даних. Спрощена еквівалентна схема біполярного транзистора приведена на рис.2.7.

¨ об'ємний опір бази _

де - постійна часу ланцюга внутрішнього зворотного зв'язку в транзисторі на ВЧ;

¨ активний опір емітера _

при у міліамперах виходить в омах;

¨ дифузійна ємкість емітера _

де - гранична частота посилення по струму транзистора з ОЕ ;

¨ коефіцієнт посилення струму бази для транзистора з Про _

де - низькочастотне значення коефіцієнта передачі по струму транзистора з ОЕ.

¨ Dr =(0,5.1,5) Ом;

Таким чином, параметри еквівалентної схеми біполярного транзистора повністю визначаються довідковими даними і режимом роботи.

Слід враховувати відому залежність від напруги колектор -эмиттер :

.

По відомій еквівалентній схемі не представляє особливої праці, користуючись методикою, викладеною в розділі 2.3, отримати наближені вирази для низькочастотних значень Y-параметров біполярного транзистора, включеного по схемі з ОЕ:

Частотну залежність і при аналізі підсилювального каскаду в області ВЧ визначають, відповідно, за допомогою визначення вхідної динамічної ємкості і постійною часу транзистора t. Виразу для розрахунку низькочастотних Y-параметров для інших схем включення транзистора отримують таким чином:

¨ доповнюють матрицю початкових Y-параметров до невизначеної а саме, якщо

то

¨ викреслюють рядок і стовпець, відповідні загальному вузлу схеми (б для Про, до для ОК), отримуючи матрицю Y-параметров для конкретної схеми включення транзистора.