Дефектами кристалів називаються порушення ідеальної кристалічної структури. Таке порушення може полягати у відсутності атома у вузлі гратки (вакансія), в заміні атома даної речовини (свого атома) чужими атомами (атомом домішок), у внесенні зайвого атома (свого чи чужого) у міжвузольний простір. Подібні дефекти називаються точковими. Вони викликають порушення правильності гратки, що поширюється на відстані порядку декількох періодів.
Крім точкових, існують дефекти, зосереджені поблизу деяких ліній. Їх називають лінійними або дислокаціями. Дефекти такого виду порушують правильне чергування кристалічних площин. Найпростішими видами дислокації є крива і гвинтова дислокації.
Рис. 2
Крайова дислокація обумовлена зайвою кристалічною півплощиною, всунутою між двома сусідніми шарами атомів. Край цієї площини утворює дислокацію даного виду. Лінією дислокації є перпендикуляр по площині малюнка пряма.
Рис. 3
Гвинтову дислокацію можна представити як результат розрізу кристалу по півплощині і наступного зсуву частин гратки, що лежать по різні боки розрізу, назустріч одна одній на величину одного періоду.
Внутрішній край розрізу утворює гвинтову дислокацію (пунктирна лінія). Кристал з гвинтовою дислокацією фактично складається з однієї кристалічної площини, яка зігнута по гвинтовій поверхні (гелікоїд). Лінія дислокації співпадає з віссю гвинта. При кожному обході навколо цієї лінії кристалічна площина зміщується на один період.
