4.1. Вивчити схеми включення біполярного транзистора в підсилювачах СЕ, СБ, СК, характеристики і параметри, частотні (часові) показники підсилювачів для середніх, нижніх і верхніх частот (малих та великих часів).
4.2. Використовуючи Т-схему заміщення біполярного транзистора
отримати аналітичні вирази для функцій
K = Uвих ,
Uвх
K = Iн,
I1
Rвх
= Uвх ,
Iвх
Rвих
= Uвих
Iвих
підсилювачів для області середніх частот в символьному
вигляді та чисельно в схемах СЕ, СБ, СК при Rг= 0, Rн= Rвих, де Rвих – вихідний опір підсилювача в даній схемі включення транзистора при Rн= ∞. Порівняти кожну функцію для різних схем. Скласти макромодель підсилювача для області середніх частот.
4.3. Для схеми (рис. 1.2), вважаючи С1= С2= ∞, С3 = 10 мкФ, Rн=Rвых, скласти макромодель підсилювача, що працює в області нижніх частот (великих часів), і визначити в символьній формі та чисельно аналітичні вирази для передаточної функції KU(jω), частотних характеристик KU(ω), φ(ω) (АЧХ, ФЧХ) і параметрів (коефіцієнт нерівномірності АЧХ Мн(ω) та нижню граничну частоту ωн при
допустимому коефіцієнті нерівномірності Мнд=
=0,707).
2
4.4. Використовуючи Т-схему заміщення біполярного транзистора для області верхніх частот (малих часів), скласти модель підсилювача СЕ, СБ, СК для області верхніх частот. Отримати в символьній формі і чисельно аналітичні вирази для передаточної функції, а також формули
для отримання частотних характеристик (АЧХ, ФЧХ) і параметрів (коефіцієнт нерівномірності АЧХ Мв(ω) та верхню граничну частоту ωв,
при допустимому коефіцієнті нерівномірності Мвд=
=0,707).
2
4.5. Скласти повну макромодель підсилювача, що працює у всьому діапазоні частот.
