Схема зміщення біполярного транзистора на низьких частотах і розрахунок її параметрів

В режимі мікрострумів вхідний І_С≈100 мкА вхідний опір зростає від 2 до 10 разів порівняно з розрахунковим.

R_вх = r_B + (r_e + R_e)(h_11e + 1)

Якщо вмикають R_e без С то є зворотній зв'язок по І

r_B = 100 Ом r_e = 20 Ом R_E1 = 0 Ом

h_21e = 100 R_E2 = 300 Ом

R_вх1 = 2120 Ом

R_вх2 = 32420 Ом

Аналогічно одержують вирази для коефіцієнтів підсилення по напрузі, струму та вихідного опору.