1. Сплавні транзистори
2. Конверційні
3. Сплавно – дифузійні
4. Епітаксійні транзистори
5. Меза транзистори
6. Планарні
7. Планарно – епітаксійні
8. Йоно – імплантацій ні
Основні параметри транзисторів
Pcmax – максимальна допустима потужність, яка розсіюється на колекторному переході. Її ще ототожнюють з максимальною потужністю, яка розсіюється на транзисторі. Площа колекторного переходу є набагато більша ніж площа емітерного переходу, тому що в ній розсіюється основна потужність, [Вт]
Icmax – максимально допустимий струм, через колектор транзистора, [A], [мА]
Ucbmax – максимально допустима напруга між колектором і базою [В]
Ibmax - максимальний струм бази, [A], [мА]
Ibmax << Icmax
h21E = β – це коефіцієнт підсилення по струму для схеми зі спільним емітером (10 ÷ 1000)
fmax – [МГц] – максимальна частота підсилення. Частота при якій коефіцієнт підсилення по струму стає рівним одиниці.
Ico – початковий зворотній струм колектора [A], [мА]
Не допускається робота транзистора з колом бази. Якщо коло бази розірване, то весь Ico буде протікати через базово – емітер ний перехід, цей струм підсилиться в β разів і через колектор – емітер буде протікати струм, який рівний β Ico , це буде досить великий струм і він призведе до збільшення температури. Збільшення температури призведе до зростання Ico, далі процес проходить швидко і призводить до руйнування транзистора.
Корпуси транзисторів бувають:
- Герметичні, металево – скляні (найдорожчі)
- Полімерні, або пластикові корпуси (найбільш поширені)
- Безкорпусні
Системи позначень
Для позначення застосовується букво – цифровий код
1.елемент – це буква, або цифра (буква – широкого застосування, цифра – спеціального, або промислового застосування)
Г, або 1 – Германій
К, або 2 – Кремній
А, або 3 – Арсенід Галію
І, або 4 – Індій, або сполуки
2.Т – біполярний транзистор
П – польовий транзистор
3.Цифра, яка визначає функціональні можливості по розсіювальній потужності і частоті.
4.Трьохзначна цифра – порядковий номер розробки
5.Класифікаційна літера, яка означає відмінність між основними параметрами в одному типі транзисторів
Найчастіше по β, або по UBR / Використовуються букви, які не похожі на цифри.
А=β=40 – 60
Б=β=60 – 100
В=β=100 – 120
Іноді є додаткові позначення
При нормальному режимі ввімкнення між емітером і базою прикладена напруга прямої полярності – опір емітерно базового переходу невеликий, спадок напруги малий (0.5 – 0.7 В) в емітерному колі буде протікати струм іе
Між колектором і базою прикладена напруга зворотної полярності, велини її порядку 10 ÷ 30 В, цей перехід закритий, опір його великий.
При протіканні прямого струму основні носії з емітерного шару (дірки) почнуть активно рухатися в шар бази, товщина шару бази є дуже мала, невеличка частина дірок рекомбінує з електронами за рахунок цього утвориться невеликий базовий струм Іб, а в самій базі виникає велика концентрація неосновних носіїв (дірок).
Далі шляхом дифузії дірки починають рухатися в різні бази і попадуть в шар колектора. Поле між базою і колектором.
Для них буде прискорюючим і всі дірки, котрі попали в шар колектора почнуть рухатися назустріч електронам, які туди поступають туди від колекторного джерела, вони рекомбінують і виникає колекторний струм Ік, який майже рівний емітерному струму.
Такий процес переходу дірок з шару емітера в шар колектора називається передачею струму з кола емітера в коло колектора для схеми зі спільною базою
Він характеризується коефіцієнтом передачі струму для схеми зі спільною базою
α або h21B
α – Вижчий, чим тонша база
Умова підсилення
Рвхк=UBE·IE
Рвихк=UCB·IC
UBE·IE << UCB·IC звідси слідує наступне Рвхк > Рвихк
Отже ми одержали піднесення потужності
Схема зі спільною базою дає підсилення тільки по напрузі підсилення по струму близьке до одиниці.
Є інші схеми ввімкнення, найбільш поширена схема зі загальним емітеро (ЗЕ) в ній керують підсиленням змінного базового струму.
Така схема дає підсилення як по струму так і по напрузі тому підсилення потужності для неї найбільше
