В сучасній електроніці широко застосовуються переходи МНП, їх ще називають переходами Шоткі (бар’єром Шоткі).
Процеси в таких переходах залежать від роботи виходу електронів, тобто від енергії, яку має затратити електрон, щоб вийти з НП, або М. Чим менше значення роботи виходу, тим більше електронів може вийти з даного матеріалу.
Якщо АМ < АНП, то переважає вихід з металу в НП. Для НП n-типу, то в НП буде ще більше основних носіїв.
Шар збагачується основними носіями і його опір малим при будь якій полярності. Такий перехід називається не випрямляючим контактом.
Аналогічно буде якщо АМ > АНП для НП p-типу – буде більше дірок.
Якщо АМ > АНП для НП n-типу, то утвориться область збіднення на основі носіїв, електрони з НП підуть в М, утвориться потенціальний бар’єр, висота цього бар’єру буде залежати від прикладеної напруги. Він має властивість проводити струм тільки в одному напрямку, такий бар’єр називають Шоткі.
Його особливість є те що в процесах приймають участь носії тільки одного типу, при цьому відсутні процеси накопичення і розсмоктування неосновних носіїв.
Для них властива висока швидкодія і мале падіння напруги при проходженні прямого струму.
Недоліком є те що UBR не перевищує 60 В. Вони широко застосовуються в імпульсних схемах.
