русс | укр

Мови програмуванняВідео уроки php mysqlПаскальСіАсемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование


Linux Unix Алгоритмічні мови Архітектура мікроконтролерів Введення в розробку розподілених інформаційних систем Дискретна математика Інформаційне обслуговування користувачів Інформація та моделювання в управлінні виробництвом Комп'ютерна графіка Лекції


Порівняльна характеристика Si i Ge p-n переходів


Дата додавання: 2014-05-22; переглядів: 761.


На германієвих p-n переходах спадок напруги на прямій вітці характеристики менший, розсіювальна потужність дуже мала, але в нього нижча максимальна робота температури, тому характеристики можна вважати приблизно однаковими.

Зворотній струм для германієвих p-n переходів майже на порядок більший. По цьому параметру вони набагато гірші, тому зараз переважно застосовуються кремнієві p-n переходи.


<== попередня лекція | наступна лекція ==>
Температурна залежність ВАХ p-n переходів | Напівпровідникові діоди


Онлайн система числення Калькулятор онлайн звичайний Науковий калькулятор онлайн