русс | укр

Мови програмуванняВідео уроки php mysqlПаскальСіАсемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование


Linux Unix Алгоритмічні мови Архітектура мікроконтролерів Введення в розробку розподілених інформаційних систем Дискретна математика Інформаційне обслуговування користувачів Інформація та моделювання в управлінні виробництвом Комп'ютерна графіка Лекції


Електронно-дірковий перехід, фізичні властивості


Дата додавання: 2014-05-22; переглядів: 705.


Межа між двома сусідніми областями напівпровідників. Що мають різний тип провідності, тобто між шарами p-n-типу p- I n-типу називається електронно-дірковим переходом. Такий перехід є основою більшості напівпровідникових приладів.

Всі процеси в такому переході відбуваються за рахунок того, що напруженості електричних полів на межі переходу за рахунок внесення домішок спів мірні з напруженості полів, які виникають за рахунок накладання зовнішньої напруги. Тобто, шляхом прикладання зовнішньої напруги ми можемо керувати провідністю шарів. Товщина електронно-діркового переходу є дуже малою від 0.01 до 1мкм, його можна одержати різними методами (є близько 20-ти методів і різновидів), найпростіший варіант сплавити два кусочки кремнію з різним типом провідності, можна одержати шляхом дифузії.


<== попередня лекція | наступна лекція ==>
Властивості напівпровідникових матеріалів | Властивості p-n переходів


Онлайн система числення Калькулятор онлайн звичайний Науковий калькулятор онлайн