Електронно-дірковий перехід, фізичні властивості

Межа між двома сусідніми областями напівпровідників. Що мають різний тип провідності, тобто між шарами p-n-типу p- I n-типу називається електронно-дірковим переходом. Такий перехід є основою більшості напівпровідникових приладів.

Всі процеси в такому переході відбуваються за рахунок того, що напруженості електричних полів на межі переходу за рахунок внесення домішок спів мірні з напруженості полів, які виникають за рахунок накладання зовнішньої напруги. Тобто, шляхом прикладання зовнішньої напруги ми можемо керувати провідністю шарів. Товщина електронно-діркового переходу є дуже малою від 0.01 до 1мкм, його можна одержати різними методами (є близько 20-ти методів і різновидів), найпростіший варіант сплавити два кусочки кремнію з різним типом провідності, можна одержати шляхом дифузії.