Для зміни провідності напівпровідників чисті НП носять домішки і провідність, яка внаслідок цього виникає називається домішковою. Або додатковою, ще цей процес називають легування.
Для введення домішок застосовують елементи третьої і п’ятої групи.
В залежності від побудови зовнішньої електронної оболонки домішки називають донарні, або акцепторні.
Донарні – це елементи п’ятої групи, наприклад миш’як. Він 5-ти валентний, 5-ий електрон дуже слабо зв’язаний з ядром. В кристалі він дуже легко залишає атом в стає вільним.
При додаванні миш’яку в чистий напівпровідник різко зростає концентрація вільних електронів. Якщо додати 1 атом миш’яку на 10 млн. атомів кремнію, то концентрація вільних електронів зросте у 1000 разів.
Висновок: Для створення НП- приладів потрібно мати дуже чисті початкові матеріали.
Такий напівпровідник в якому є надлишок вільних електронів називається напівпровідником n-типу. В ньому основними носіями є електрони, дірки для нього не основні носії.
Акцепторні – це елементи третьої групи, наприклад Індій, це трьохвалентний елемент, який старається захопити вільний електрон. Він забирає електрони в НП.
Таким чином утворюється велика кількість дірок це буде напівпровідник p-типу. В ньому дірки основні носії, електрони не основні.
Якщо дуже сильно легують (додають домішки) НП, наприклад для створення зон з великою провідністю (n+, або n++, p+, або p++)/
Якщо НП одночасно легують донорною і акцепторною домішкою, він називається скомпенсованим.
