русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Влияние ионизирующего облучения на резисторы

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

Следствием воздействия может быть пробой в связующих и пропитывающих изоляцию материалах, изменение свойств основного материала резистора, появление проводимости из – за ионизации материала каркаса и покрытия.

Величина и знак изменения сопротивления резистора определяются основным материалом резистора, номинальной величиной сопротивления, размерами, величиной приложенного напряжения и особенностями технологии изготовления. Чем больше величина сопротивления, тем большие обратимые изменения вызываются облучением; поэтому резисторы с сопротивлением порядка 109 Ом могут быть ненадежны.

Облучение резисторов потоком быстрых нейтронов вызывает как необратимые, так и обратимые изменения (в зависимости от величины потока), а гамма – излучения – только обратимые изменения.

 

Таблица 10.2

 

Просмотров: 2026

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

Это будем вам полезно:

Комфорт - комплекс факторов

Разновидности стандартизации

Компоновочные схемы блоков цифровой МЭА III поколения

Компоновочные схемы приёмоусилительных ФЯ МЭА III поколения

Примеры применения стандартных и оригинальных программ в проектировании ЭС

Влияние радиации на полупроводниковые диоды

Содержание и уровень информационных технологий

Компоновочные схемы ФЯ цифровой МЭА III поколения

Лаконизм формы

СИСТЕМЫ БАЗОВЫХ НЕСУЩИХ КОНСТРУКЦИЙ

Эстетические свойства изделия

Единичные показатели качества – показатель качества продукции, относящийся к только к одному из ее свойств.

Компоновочные схемы ФЯ цифровой МЭА IV поколения

Вернуться в оглавление:Основы проектирования электронных средств




Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.