русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Компоновочные схемы приемоусилительных ФЯ МЭА IV поколения

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

4.6.1. Основным отличием компоновки ФЯ IV поколения приемоусилительных устройств является то, что как усилительные узлы, так и частотно-избирательные, выполняются в виде бескорпусных МСБ , компонуемых на печатной плате или металлическом основании и герметизируемых в корпусе-экране типа “пенал ” .Конструкции в этих случаях более планарны и более компактны (рис 4.27). Для ИФ на ПАВ связь между его конструктивными и электрическими параметрами определяется скоростью () распространения поверхностных акустических колебаний, их длиной волны (), числом пар пленочных излучателей N, а также расстоянием между ними, равная .

Резонансная частота фильтра равна , а его добротность Q=N ; отсюда видно, что верхний предел рабочей частоты определяется разрешающей способностью получения зазора между излучателями, которая зависит от технологии изготовления фильтра. Нижний предел частоты фильтра определяют геометрические ограничения при большой площади, занимаемой излучателем на подложке фильтра. Отсюда, рабочий диапазон для ИФ ПАВ находится от 10-1000МГц при Q=10-1000

 

 

4.6.2. Компоновочная схема ФЯ на печатной плате показана на

рис. 4.28

Рис 4.28 Конструкция аналоговой ФЯ из МСБ и тонкопленочных индуктивных элементов:

1-МПП, 2-б/к МСБ, 3-навесной ЭРЭ, 4-тонкопленочный элемент, 5-корпус-экран, 6-выводные штыри ячейки

 

Бескорпусные усилительные схемы выполнены на ситалловых подложках с навесными компонентами (бескорпусными транзисторами или универсальными ЛИС, конденсаторами серии К10 ). На печатной плате вместе с ними компонуются пленочные катушки индуктивности на рабочие частоты десятки...сотни МГц и с добротностью до десятков единиц, а также навесные дискретные ЭРЭ , невыполняемые в гибридно-пленочном варианте (электролитические конденсаторы фильтров питания, мегоомные резисторы, выходные и согласующие трансформаторы). Печатная плата крепится к корпусу на втулках-“бобышках”. Высокочастотные разъемы, разъемы питания (“слезки ”), земляной штырь и штенгель-трубка запаяны в боковой стенке корпуса. Несмотря на планарную конструкцию, ФЯ имеет значительные потери как по площади компоновки на печатной плате (до 50...60%), так и по высоте конструкции Последнее вызвано необходимостью удаления верхней крышки корпуса (экрана) от пленочных катушек индуктивностей на 3...3,5 мм, чтобы значительно не снижать их добротность.

4.6.3. Компоновочная схема ФЯ на металлическом основании (рис. 4.29) выполнена на алюминиевой рамке в герметичном корпусе типа “пенал”.

 

Рис. 4.29 Пенальная компоновка приемоусилительных ячеек

 

Герметизация осуществлена “паяным швом”. Бескорпусные МСБ приклеены к планке с одной стороны, а сдругой стороны- приклеена печатная плата и расположены навесные дискретные ЭРЭ (конденсаторы, резисторы, тероидальные катушки индуктивности). По торцам пенала выведены высокочастотные и низкочастотные разъемы, трубка-штенгель и имеются “лапки ” крепления пеналов в пакет. Компоновка типа “пенал” может осуществляться также размещением МСБ и бескорпусных ЧИМ типа ИПФ и фильтров ПАВ непосредственно на анодированном алюминиевом основании с двух сторон по принципу “непрерывной микросхемы” . В этом случае анодированное основание выполняет роль коммутационного уровня II типа. Отсутствие печатной платы и двухсторонняя планарная компоновка значительно снижают потери объема и массы конструкции ФЯ.

Просмотров: 247

<== предыдущая статья | следующая статья ==>

Это будем вам полезно:

Примеры конструкций средств защиты

Влияние облучения на конструкционные материалы

Современность

Терминология, применяемая в художественном конструировании ЭС Анализ

Влияние радиации на транзисторы

Лаконизм формы

Классификация электронных средств

Основные понятия и виды облучения

Единая система конструкторской документации (ЕСКД)

Эстетика - наука, изучающая прекрасное в действительности

Культура производства

Компоновочные схемы модулей СВЧ и АФАР

Особенности автоинтерактивного конструирования средствами малых ЭВМ и АРМ

Факторы, влияющие на ЭМС элементов и узлов ЭС

Вернуться в оглавление:Основы проектирования электронных средств




Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Полезен материал? Поделись:

Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.