Отчет по лабораторной работе

«Исследование параметров интегральных диодов»

Выполнили:студенты гр. 535

Илларионов С.Е.

Варгаев И.В.

Данилов Д.В.

Проверил:

Кричевский С. В.

Самара 2009 г.

Цель работы: закрепление званий в области физики полупроводниковых приборов и интегральной схемотехники, полученных при изучении курсов «Основы микроэлектроники» и «Физические явления в полупроводнике и полупроводниковых приборах»; практическая реализация знаний физических свойств р-n-перехода и исследование интегральных диодов, выполненных приемами интегральной схемотехники на базе биполярных транзисторов.

Задание:

1. По конспекту лекций, данным методическим указаниям и рекомендованной литературе изучить теоретические основы интегральных диодов.

2. Подготовить ответы на контрольные вопросы.

3. Выполнить предварительные расчеты.

4. Изучить порядок выполнения работы.

5. Включить лабораторный стенд.

6. Выполнить расчеты, снять экспериментальные результаты и построить графики требуемых в работе зависимостей,

7. Провести анализ полученных результатов и сделать выводы.

Приборы и принадлежности: лабораторный стенд, вольтметр, миллиамперметр, термометр, набор интегральных диодов.

Рис.1. Блок схема измерительного стенда:

1 - источник регулируемого напряжения;

2 — вольтметр V₁ - измеритель тока (миллиамперметр в прямом направлений в микроамперметр в обратном); 4 - переключатель полярности напряжения на исследуемом диоде; 5 - исследуемый диод D; 6 - вольтметр V₂.

Прямые характеристики диодов
Диод 1		Диод 2		Диод 3	Диод 4		Диод 5
I, mA	U, B		I, mA	U, B	I, mA	U, B		I, mA	U, B	I, mA	U, B

	0,11			0,20		0,14			0,14		0,18
	0,13			0,23		0,21			0,17		0,23
	0,16			0,28		0,24			0,18		0,26
	0,17			0,32		0,26			0,2		0,28
	0,18			0,37		0,31			0,21		0,3
	0,18			0,40		0,33			0,22		0,32
	0,18			0,41		0,36			0,23		0,34
	0,18			0,43		0,37			0,24		0,355
	0,18,5			0,46		0,40			0,24		0,37
	0,19			0,48		0,44			0,25		0,39

Обратные характеристики диодов
Диод 1		Диод 2		Диод 3	Диод 4		Диод 5
I, mA	U, B		I, mA	U, B	I, mA	U, B		I, mA	U, B	I, mA	U, B

0,026			0,005		0,05			0,005		0,005
0,035			0,008		0,11			0,011		0,011
0,043			0,015		0,12			0,015		0,015
0,052			0,019		0,13			0,021		0,021
0,064			0,029		0,15			0,032		0,032
0,082			0,042		0,17			0,041		0,041
0,101			0,05		0,21	9,2		0,050		0,050

Вывод: В ходе лабораторной работы были получены ВАХ характеристики интегральных диодов. С помощью графика ВАХ была определенна контактная разность потенциалов диодов. Результатом работы стало закрепление знаний в области видов p-n переходов и диодных процессов.