Рассмотрим методику расчёта ключа в режиме насыщения. Принципиальная схема ключа приведена на рис.2.23. Для насыщения ключа необходимо отрицательные входные импульсы определённой амплитуды. В результате расчётов нужно получить: тип транзистора, , , .
Для положительных входных импульсов применяют транзисторы типа n-p-n, схема ключа аналогична.
Рис. 2.23 Транзисторный ключ в режиме насыщения
Расчёт схемы по постоянному току традиционен, однако учитывается входная характеристика транзистора в режиме насыщения (2).
; (1)
; (2)
Нагрузочная линия (1) строится по двум точкам (Х.Х и К.З.).
Х.Х.: , .
К.З.: , .
Пересечение нагрузочной прямой (1) с линией насыщения (2) – точка «А», определяющая , и . В данном случае (см. рис.2.24). При проектировании ключей ток коллектора в режиме насыщения обычно задан, что определяет выбор типа транзистора по допустимому току и положение точки «А» (значит и тока ). По значению этого тока рассчитывают резистор ( ).
;
Рис. 2.24 Расчёт ключа по постоянному току
Для расчёта резистора воспользуемся входной характеристикой транзистора в режиме насыщения ( ). Ток базы, определяемый и резистором должен быть: .
Рис. 2.25
Установим положение точки «А» на входной характеристики по значению тока базы в точке «А» на выходных характеристиках (см. рис.2.25). Если задано, то нагрузочная линия ко входным характеристикам должна прейти из точки Х.Х. ( ) через точку «А» и определить значение тока К.З. ( ). Поскольку ток , то отсюда можно определить значение резистора ( ). Если велико (более 3¸5В), то построение нагрузочной линии неудачно. В этом случае запишем систему уравнений для точки «А» из которой без построения нагрузочной линии можно определить значение резистора :
;
; (1)
; (2)
Для ускорения процесса насыщения иногда ключа вводят понятие коэффициент насыщения.
Коэффициент насыщения , .
Рекомендованное значение коэффициента , т.к. с увеличением S уменьшается время включения ключа, однако при этом увеличивается время выключения.
Простейший расчёт ключа.
– (координата точки «А», и заданна потребителем.
; .
Примем, что ;
.
Примем , тогда ;
Рассчитаем
при , получим
; .
Ориентировочные требования к транзистору:
; ; .
Полная модель ключа для области насыщения имеет вид (см. рис.2.26):
Рис. 2.26 Полная модель ключа при
При этом , что обеспечивает .
Упрощённая модель ключа имеет вид (рис.2.27).
Рис. 2.27 Упрощённая модель ключа при
В упрощённом варианте можно считать, что зажимы транзистора К,Э и Б – однопотенциальные.
Расчёт ключа в режиме отсечки.
Схема ключа и фрагменты расчёта по постоянному току приведены на рис.2.28.
Рис. 2.28 Модель схемы ключа в режиме отсечки и элементы расчётов по постоянному току
На вход схемы поступают положительные импульсы, запирающие транзистор. Рабочая точка А1 для полного запирания транзистора должна располагаться на самой нижнеё характеристике ( ). При этом . Расчёт режима по постоянному току аналогичен. Модель ключа в режиме отсечки приведена на рис.2.27.