русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Принцип действия флеш памяти

Флеш память хранит информацию в массиве «ячеек», каждая из которых традиционно хранит по одному биту информации. Каждая ячейка - это транзистор с плавающим затвором. Более новые устройства (иногда их еще называют многозарядными устройствами) могут содержать более 1 бит в ячейке, используя два или больше уровне электрических зарядов, расположенных при плавающем затворе ячейки.

В флэш памяти типа NOR каждая ячейка похожа на стандартный MOSFET (оксидный полупроводниковый полевой транзистор), но в ней есть не один затвор, а два. Как и любой другой полевой транзистор, они имеют контрольный затвор (КЗ), а, кроме него, еще и другой - плавающий (ПО), запертый внутри оксидного слоя. ПО расположен между КО и подложкой. Поскольку ПО отделен собственным заизолирован слоем оксида, любые электроны, попадающие на него сразу попадают в ловушку, что позволяет хранить информацию. Захваченные плавающим затвором электроны меняют (практически компенсируют) электрическое поле контрольного затвора, изменяющий пороговую напряжение (V п ) затвора. Когда из ячейки «считывают» информацию, к КЗ прикладывают определенное напряжение, в зависимости от которой в канале транзистора протекать или не будет протекать электрический ток. Эта напряжение зависит от V п ячейки, которая в свою очередь контролируется числом захваченных плавающим затвором электронов. Величина порогового напряжения считывается и перекодируется в единицу или ноль. Если плавающий затвор может иметь несколько зарядовых состояний, то считывание происходит посредством измерения силы тока в канале транзистора.

Для записи информации в ячейку NOR необходимо зарядить плавающий затвор. Это достигается, пропуская через канал транзистора сильный ток, при котором возникаютгорячие электроны, которые обладают достаточной энергией для преодоления оксидного слоя.

Для очистки плавающего затвора от электронов (стирание информации) до контрольного затвора прикладывают значительное напряжение, которое создает сильное электрическое поле. Захваченные плавающим затвором электроны высасываются этим полем, тунелюючы через слой окисла.

В приборах с однотипной напряжением (теоретически все чипы, которые доступны нам на сегодняшний день) это высокое напряжение создается генератором подкачки заряда.Большинство современных компонентов NOR-памяти разделены на чистые сегменты, которые часто называют блоками или секторами. Все ячейки памяти в блоке должны быть очищены одновременно. К сожалению, метод NOR может в общем случае обрабатывать только одну часть информации типа byte или word.

NAND -память использует туннельную инжекции для записи и туннельный выпуск для изъятия. NANDьова флэш-память формирует ядро легкого USB-интерфейса запоминающих устройств, которые также известны как USB флэшки.

Тогда, когда разработчики увеличивают плотность флэш приборов, индивидуальные ячейки делятся и число электронов в любой ячейке становится очень малой. Спаривания между смежными плавающими затворами может изменить характеристики записи ячейки. Новые реализации, такие как заряженные ловушки флеш памяти, пытаются обеспечить лучшую изоляцию между смежными ячейками.

Просмотров: 3781

Вернуться в оглавление:Компьютер




Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Полезен материал? Поделись:

Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.