Транзистором називається електроперетворювальний НП прилад, який має один або декілька р-п переходів, три або більше виводів і здатний підсилювати потужність електричного сигналу.
Широко розповсюджені транзистори з двома р-п переходами, що мають назву біполярних. Термін «біполярний» підкреслює, що процеси в цих транзисторах пов’язані з взаємодією заряду носіїв двох типів: електронів і дірок. Для виготовлення транзисторів використовують германій і частіше кремній. Два р-п переходи створюють за допомогою тришарової структури з чередуванням шарів, що мають електронну та діркову електропровідності.
У відповідності до чередування шарів з різними типами електропровідності біполярні транзистори поділяються на два класи :п-р-п і р-п-р типу (2.11)
Центральний шар біполярних транзисторів має назву «база». Зовнішній лівий, що є джерелом носіїв заряду (електронів чи дірок) і, головним чином, створює струм приладу, називається «емітером». Правий зовнішній шар, що приймає заряди від емітера, називається «колектором». На перехід емітер-база напруга подається в прямому напрямку, тому, навіть при незначній напрузі, через перехід тече великий струм. На перехід колектор-база напруга подається в зворотному напрямку. Зазвичай її значення на декілька порядків перевищує значення напруги на переході емітер-база.2.11 – еквівалентні схеми транзисторів у вигляді двох діодів (п-р переходів) увімкнених зустрічно.
Підсилюючі властивості біполярного транзистора забезпечується тим, що р-п переходи в ньому незалежні, а взаємодіють один з одним, що, в свою чергу, забезпечується технологічними особливостями виконання тришарової структури. А саме
1) емітер виконано з великою кількістю домішки – він має велику кількість вільних носіїв заряду;
2) база виконана тонкою і має малу кількість основних носіїв заряду;
3) колектор – масивний і має кількість носіїв, меншу,ніж емітер.
