Польові транзистори з ізольованим заслоном

ПТ з ізольованим заслоном – це транзистори в яких заслін відділений від каналу таким шаром діелектрика, найчастіше SiO₂. Товщина цього шару 0.2 – 0.3 мікрони.

Їх ще називають МДН, або МОН.

Вони діляться на транзистори з вбудованим або наведеним (індукованим) каналом.

В перших канал сформований у процесі виготовлення.

В других канал виникає при прикладені зовнішньої напруги.

Другі є найбільш поширені.

ПТ може працювати в режимі збідненні і в режимі збагачення, виникає при розширенні каналу.

Транзистор з наведеним каналом можуть тільки в режимі збагачення. При прикладені певної напруги до заслона між двома острівками n+ виникає канал.

Для збільшення підсилення в кристалі НП формують багато каналів і з’єднують їх паралельно, в результаті виходить крута ВАХ .

ПТ з ізольованим заслоном мають ще вищий вхідний опір до 10¹² Ом. Робоча частота може сягати 100 Гц. Напруга до 1000 В. Вони мають дуже малий опір у відкритому стані. Це сотні, тисячі долі Ома. В комірках пам’яті замість SiO₂ окисну плівку утворюють Si₃O₄, яка має ще кращі ізоляційні властивості.